|
聯電旗下的砷化鎵(GaAs)子公司聯穎光電已獲准進入新竹科學園區投資，此次投資案為新台幣6.726億元。聯穎除了將進入竹科外，已在聯電位 於大陸山東所屬的「聯電濟寧科技園」內設立公司，聯穎也公告取得台南科技園區的土地。據了解，聯穎將跨入6吋砷化鎵的製程，產品線主要為手機用的功率放大 器(PA)。因有聯電的支援，聯穎的市場布局頗受市場關注。
受惠於智慧型手機(Smartphone)以及平板電腦(Tablet)等應用端 的帶動，PA市場在2010年開始起飛，看好此塊市場未來的成長動能，聯電於2010年10月18日成立聯電集團新投資事業公司，而旗下的一員便包含聯穎 光電。目前聯穎位於竹科聯電的Fab 6A廠區內，而6吋晶圓生產砷化鎵元件是公司主要代工計畫。
根據研究資料統計，全球砷化鎵市場2005~2009年間的年複合成長率約達9%，台系砷化鎵業界人士認為，未來整體產業在手機以及無線通訊帶動下，仍有4~5年的成長力道。
隨 著砷化鎵產品逐漸應用在終端市場，且多以消費性電子產品為主，產品價格競爭將愈趨激烈，整合元件廠(IDM)對於成本的考量以及擴產所需的資本支出等，委 外趨勢漸成形，皆是台系晶圓代工廠成長的動力。隨著IDM作法改變與市場需求成長下，砷化鎵逐日成為一重要的半導體次產業，故也是吸引既有半導體業者投入 的主因。
不過，因砷化鎵晶圓端的製程推進緩慢，目前先進製程為6吋，而部分產品還停留在4吋階段，故在生產過程中，技術累積是成敗主因，新進 者無法短時間內複製成功模式。再者，有別於矽製程，砷化鎵領域市場規模小，全球僅5大IDM，相較下十分封閉，故在聯穎的加入下，市場走勢仍十分令人期待。
|
