目前台系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)以及 pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)製程。砷化鎵HBT的特性在於線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機耗電流低、低相位雜訊、單電源設計、體積小等特色。而主 要應用端含蓋手機、無線網路、藍芽、基地台、光纖通訊、衛星通訊等。另外，pHEMT其優點則包含有超高頻(高頻操作可達100GHz以上)及低雜訊等特性，低射頻雜訊、高頻率響應、高切換速度與高功率操作，在高功率基地台、低雜訊放大器及RF Switch上十分重要。化合物半導體在通訊應用市場上已佔其重要且難以取代的地位，目前隨著高資料量傳輸的需求成長下，未來砷化鎵元件市場成長可期。現階段，台系供應鏈中，除宏捷科技以及穩懋半導體等業者外，聯電集團的聯電新投資事業公司也成立聯穎光電加入市場。
